2月16日消息，紫光国微今日在投资者互动平台上表示，公司的FPGA（可编程门阵列）产品主要用于特殊领域的系统控制、通信等应用场景，目前占公司收入的20%左右。 紫光国微：FPGA产品目前约占公司收入的20%。 紫光国微指出，公司的FPGA产品可用于人工智能领域，但目前还没有涉及ChatGPT和AIGC的业务。 紫光国微是紫光集团有限公司旗下核心企业。紫光集团通过 其全资子公司西藏紫光春华投资有限公司持有紫光国微 32.4%的 股份，为公司实际控股股东，集团第一大股东为清华控股有限公 司，这是紫

台积电近日宣布，与工研院合作开发出自旋轨道转矩磁性存储器（SOT-MRAM）阵列芯片，该芯片具有极低的功耗，仅为其他类似技术的1%。这一创新技术为次世代存储器领域带来了新的突破。 SOT-MRAM阵列芯片采用先进的制程技术，台积电已经成功开发出22纳米、16/12纳米制程等相关产品线。这些制程技术的应用使得芯片具有更高的集成度和更低的功耗。此外，该芯片还采用了创新的运算架构，进一步优化了功耗和性能。 台积电凭借其在半导体制造领域的领先地位和技术实力，一直在积极布局存储器市场。此次开发的SOT-

据报道，全球领先的半导体制造公司台积电在次世代MRAM存储器相关技术方面取得了重大进展。该公司成功开发出自旋轨道转矩磁性存储器（SOT-MRAM）阵列芯片，并搭配创新的运算架构，使其功耗仅为其他类似技术的1%。 台积电在MRAM技术上的突破，特别是在22纳米、16/12纳米制程等领域，进一步巩固了其在存储器市场的领先地位。此外，该公司还成功获得了存储器、车用等市场的订单，进一步证明了其在技术创新和市场应用方面的实力。 这一技术突破对于整个半导体行业来说都具有重要意义。随着5G、物联网、人工智能

台积电近日宣布，与工研院共同研发出一种名为自旋轨道转矩磁性内存（SOT-MRAM）的阵列芯片。这一技术成果为台积电在AI和高性能运算（HPC）市场抢占先机提供了新的竞争优势。 台积电在MRAM技术方面已经取得了显著进展，成功研发了22纳米、16/12纳米工艺的MRAM产品线，并积累了大量内存和车用市场订单。此次推出的SOT-MRAM将进一步巩固其在市场中的领先地位。 这款SOT-MRAM芯片由台积电和工研院共同设计，实现了极快的工作速度，达到10纳秒，远高于传统的内存芯片。这一创新突破了MRA

金属纳米颗粒低聚体不仅具有等离激元共振效应实现光场亚波长范围内的局域化和增强，还可以通过泄漏光场（leaky field）相互干涉实现法诺共振和连续态中的束缚态（BIC）从而使得电磁场更强的局域和增强。 据麦姆斯咨询报道，近期，南京大学电子科学与工程学院的科研团队在《物理学报》期刊上发表了以“基于纳米金属阵列天线的石墨烯/硅近红外探测器”为主题的文章。该文章第一作者为张逸飞，通讯作者为王军转。 本工作采用金纳米金属低聚体超构表面作为石墨烯/硅（SOI）近红外探测器的天线，实现了光响应度2倍的增

什么是FPGA？ 现场可编程门阵列 (FPGA) 是可以在制造后进行编程和重新编程以实现数字逻辑功能的半导体器件。FPGA 通过提供可配置为执行各种任务的可编程硬件块和互连，提供了实现数字电路的独特方法。 FPGA 的组件 FPGA（现场可编程门阵列）由多个关键组件组成，这些组件协同工作以实现定制数字电路的实现和配置。FPGA 的主要组件有： 可配置逻辑块 (CLB)： 这些是 FPGA 的基本构建块，包含查找表 (LUT)、触发器，有时还包含专用算术单元。CLB 可配置为执行各种组合和顺序逻

金属氧化物半导体气体传感器通常存在选择性不好和工作温度高的问题。传统的基于金属氧化物的气体传感器通常在较高的温度下工作，这进一步增加了能耗。此外，高工作温度可能限制它们在商业和工业应用中的使用，特别是在易爆气体环境中。而且，高工作温度会导致传感器寿命缩短和性能不稳定。为了降低传感器的工作温度，先前的文献中报道了不同的方法，例如表面装饰不同的催化剂材料、掺杂贵金属、紫外（UV）光照射等。其中，紫外光照射因其可降低光催化金属氧化物气体传感器（如TiO₂）的工作温度而引起了广泛关注。 选择性不好是金